+7 495 123 31 76 Обратный звонок




Модуль памяти Samsung M471A5244CB0-CWE 4 Гб

РАСПРОДАЖА СКЛАДА (только для юрлиц и ИП)

НАЛИЧИЕ: всего 5 штук

ЦЕНА: 1 600 рублей (возможен торг)

Пишите или письмо на i.yakimov@eco-it.ru, или звоните в офис +7 495 123 31 76 (добавочный 173), или в WhatsApp или Telegram +7 (903) 169 19 16 ответственному за распродажу Якимову Игорю

Характеристики:

Тип: DDR4 260-pin SODIMM

Объём памяти: 4 Gb

Частота работы: до 3200 MGz

Скорость: PC4-25600

Контроль ECC: не поддерживается

Буферизация: не поддерживается

CAS: CL19

Вес: 10 грамм

Охлаждение: нет


Модули памяти DDR4 отличается более высокими эксплуатационными характеристиками по сравнению с предыдущим поколением. Тактовая частота представленной модели M471A5244CB0-CWE от компании Samsung составляет 3200 МГц. Каждый модуль оснащён контактными штырями в количестве 288 штук. Нижняя часть платы имеет плавный изгиб, что обеспечивает существенное повышение прочности и улучшает электрический контакт.

Модуль характеризуется высокой ёмкостью составляющей 4 Гб. При этом его энергопотребление ниже на 40%, чем у модулей DDR3 сопоставимым объёмом памяти. Его потребности в электроэнергии составляет 1,2В. Это даёт значительное преимущество в использовании совместно с мобильными устройствами ноут и нетбуками - увеличение периода автономного функционирования при использовании АКБ прежней ёмкости.

Компания Samsung в своих модулях памяти DDR4 реализует технологию вертикального монтажа высокой плотности, что позволяет достигать не только существенного увеличения объёмов памяти, но и значительно повышает надежность. В частности, позволяет использовать встроенный контроль чётности и улучшить циклические проверки при передаче адресов и команд. Это улучшает общую целостность передающихся сигналов. Поэтому на данный момент ОЗУ DDR4 от Samsung является одним из наиболее надёжных видов оперативной памяти.

Стоит отметить, что модуль DDR4 несовместим с устройствами, поддерживающими ОЗУ DDR3. Чтобы исключить установку в несовместимую платформу данные модули памяти были реализованы в различных форм-факторах: немного сдвинут установочный паз, также модуль DDR4 имеет увеличенную толщину, из-за существенно большего количества сигнальных слоёв.